1991年02月与工研院电子所推动国家级次微米计划，定义出中国人自主研发之0.5微米16MbDRAM及4MbSRAM之技术，并展开试作；11月开发出中国人第一颗4MbDRAM。1993年05月开发出中国人第一颗16MbDRAM；07月开发出中国人第一颗4MbSRAM，第一次设计即达成量产标准。1994年03月SpecialByte-wide1MbDRAM进入量产。1997年01月完成2MbPipelineBurstSRAM试产，并开始进行量产，开发出中国人第一颗，世界第六颗之8MbSGRAM，并开始进行量产；06月开发出世界第一颗16MbSGRAM，并开始进行量产。2000年02月8Mb低功率静态随机存取记忆体(LPSRAM)设计完成，进入试产。2001年09月领先开发出1.8伏特4Mb及8Mb低功率SRAM产品，提供可携式电子产品所使用。2002年07月通过INTELSSQA_LiteSupplierSelfQualityAssessment的品质系统检定。2003年02月推出16MbPseudoSRAM产品，提供世界级最低待机电流45μA及最高速55ns，符合通讯记忆体模组最佳成本效益；03月推出32MbPseudoSRAM产品，提供可携式资讯装置所需记忆体产品。
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