全新光电成立于民国85年11月26日，87年6月8日公开发行，91年1月24日上市，目前为全球HBT通讯晶片第二大厂主要产品为微电子原件磊晶片及光电子原件磊晶片(97.97%)，主要以外销为主，美洲占45%、亚洲21%1.全新光电系以MOCVD技术生产Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓磊晶片，因Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具备高工作频率、低杂讯、抗天然辐射、能源使用率佳、能阶带可调整、电子移动速度快等优点，而发展为近年无线通讯、光纤通讯及光显示之关键组件。受惠于砷化镓及四元LED销收量大幅成长，95年营收大幅成长至91亿(YOY+71%)，且毛利率由17%倍增至35%，目前国内竞争对手为巨镓、台湾高平2.微电子原件磊晶片分为HBT、PHEMT、MESFET，HBT算是GaAs领域中较新的技术，其线性效果佳及功率效益较佳的特性，正符合目前讲求轻薄短小、待机时间长的行动电话需求。且HBT待机耗电流最小，另因功能元件体积小，致使其晶粒相对成本最低，而无须负闸极电流设计及下游加工线宽要求低均能进一步降低生产成本，使其于近年来大量应用于手机，WLAN及Automobileradar之功率放大器(PA)3.96年3月董事会通过现金增资不超过1000万股，用以扩充太阳能晶片(AP)设备，发展高效率太阳能电池磊晶技术(目前砷化镓生产的一瓦的太阳能电池模组已达3.6美元，比矽晶圆4.1美元更便宜)
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